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顯微鏡光源LED燈的特性及原理

更新時間:2013-01-09 點(diǎn)擊量:2272

LED是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件。它具備pn結(jié)結(jié)型器件的電學(xué)特性:I-V特性、C-V特性和光學(xué)特性:光譜響應(yīng)特性、發(fā)光光強(qiáng)指向特性、時間特性以及熱學(xué)特性。 r^9.aE9F  
  1
、LED電學(xué)特性 ,-M^hA$4`[1]  
  1.1 I-V
特性表征LED芯片pn結(jié)制備性能主要參數(shù)。LEDI-V特性具有非線性、整流性質(zhì):單向?qū)щ娦?,即外加正偏壓表現(xiàn)低接觸電阻,反之為高接觸電阻。=0  如左圖: \'f^2hP K  
  (1)
正向死區(qū):(圖oaoa′段)a點(diǎn)對于V0 為開啟電壓,當(dāng)VVa,外加電場尚克服不少因載流子擴(kuò)散而形成勢壘電場,此時R很大;開啟電壓對于不同LED其值不同,GaAs1V,紅色GaAsP1.2VGaP1.8V,GaN2.5V。   
 
2)正向工作區(qū):電流IF與外加電壓呈指數(shù)關(guān)系N# Vu6"yD  
  IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS
為反向飽和電流。 CUJn­7{7  
  V
0時,VVF的正向工作區(qū)IF VF指數(shù)上升 IF = IS e qVF/KT K~oA j //  
 
3)反向死區(qū)V0pn結(jié)加反偏壓k L_<7'Cw  
  V= - VR
時,反向漏電流IRV= -5V)時,GaP0V,GaN10uA。 ="|l0 W\  
 
4)反向擊穿區(qū) V- VR ,VR 稱為反向擊穿電壓;VR 電壓對應(yīng)IR為反向漏電流。當(dāng)反向偏壓一直增加使V- VR時,則出現(xiàn)IR突然增加而出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。由于所用化合物材料種類不同,各種LED的反向擊穿電壓VR也不同。 |t!Pms'D7  
  1.2 C-V
特性 6?JW?.Ap  
 
鑒于LED的芯片有9×9mil (250×250um)10×10mil,11×11mil (280×280um),12×12mil (300×300um),故pn結(jié)面積大小不一,使其結(jié)電容(零偏壓)C≈n+pf左右。 Er,R?sBJ.  
  C-V
特性呈二次函數(shù)關(guān)系(如圖2)。由1MHZ交流信號用C-V特性測試儀測得。 -O#&'lhe{  
  1.3
zui大允許功耗PF m .lfE`LX K  
 
當(dāng)流過LED的電流為IF、管壓降為UF則功率消耗為P=UF×IF A>0"6%  
  LED
工作時,外加偏壓、偏流一定促使載流子復(fù)合發(fā)出光,還有一部分變?yōu)闊幔菇Y(jié)溫升高。若結(jié)溫為Tj、外部環(huán)境溫度為Ta,則當(dāng)TjTa時,內(nèi)部熱量借助管座向外傳熱,散逸熱量(功率),可表示為P = KTTj – Ta)。 ;tP$p9*z  
  1.4
響應(yīng)時間 g].j'S6  
 
響應(yīng)時間表征某一顯示器跟蹤外部信息變化的快慢?,F(xiàn)有幾種顯示LCD(液晶顯示)約10-3~10-5SCRT、PDPLED都達(dá)到10-6~10-7Sus級)。 2_eDg­r
*{  
 
響應(yīng)時間從使用角度來看,就是LED點(diǎn)亮與熄滅所延遲的時間,即圖中tr 、tf 。圖中t0值很小,可忽略。 ^W%k>­+d+  
 
響應(yīng)時間主要取決于載流子壽命、器件的結(jié)電容及電路阻抗。 J,xl4- gi  
  LED
的點(diǎn)亮?xí)r間——上升時間tr是指接通電源使發(fā)光亮度達(dá)到正常的10%開始,一直到發(fā)光亮度達(dá)到正常值的90%所經(jīng)歷的時間。 N3mC  
  LED
熄滅時間——下降時間tf是指正常發(fā)光減弱至原來的10%所經(jīng)歷的時間。

   不同材料制得的LED響應(yīng)時間各不相同;如GaAs、GaAsP、GaAlAs其響應(yīng)時間<10-9S,GaP10-7 S。因此它們可用在10~100MHZ高頻系統(tǒng)。 gB - 

2 LED光學(xué)特性 Q+ wAH,=_  
 
發(fā)光二極管有紅外(非可見)與可見光兩個系列,前者可用輻射度,后者可用光度學(xué)來量度其光學(xué)特性。 xig53v  
  2.1
發(fā)光法向光強(qiáng)及其角分布 f9?&SVg^`  
  2.1.1
發(fā)光強(qiáng)度(法向光強(qiáng))是表征發(fā)光器件發(fā)光強(qiáng)弱的重要性能。LED大量應(yīng)用要求是圓柱、圓球封裝,由于凸透鏡的作用,故都具有很強(qiáng)指向性:位于法向方向光強(qiáng)zui大,其與水平面交角為90°。當(dāng)偏離正法向不同θ角度,光強(qiáng)也隨之變化。發(fā)光強(qiáng)度隨著不同封裝形狀而強(qiáng)度依賴角方向。 V7_)lHp~  
  2.1.2
發(fā)光強(qiáng)度的角分布是描述LED發(fā)光在空間各個方向上光強(qiáng)分布。它主要取決于封裝的工藝(包括支架、模粒頭、環(huán)氧樹脂中添加散射劑與否) t+F< n6@R  
 
為獲得高指向性的角分布(如圖1 %rAK\OQN2  
 
LED管芯位置離模粒頭遠(yuǎn)些; !b`p;|Qt  
 
使用圓錐狀的模粒頭; TpEY1
 
封裝的環(huán)氧樹脂中勿加散射劑。 \
j?>)u?b  

 
采取上述措施可使LED 2θ1/2 = 6°左右,大大提高了指向性。 VpuPO\VQ  
 
當(dāng)前幾種常用封裝的散射角(2θ1/2角)圓形LED、10°、30°、45° 2[1]SJ 2MFl  
  2.2
發(fā)光峰值波長及其光譜分布 

  LED發(fā)光強(qiáng)度或光功率輸出隨著波長變化而不同,繪成一條分布曲線——光譜分布曲線。當(dāng)此曲線確定之后,器件的有關(guān)主波長、純度等相關(guān)色度學(xué)參數(shù)亦隨之而定。 !>;`

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